DDR5内存标准于2020年7月正式敲定，AMD Ryzen7000(“Raphael”)和英特尔酷睿13000(“Alder Lake”)正式敲定，在过去两年里才真正开始在台式机上缓慢取代其前身DDR4，但即将推出的DDR6内存已经在敲门。

我们可以从新的DDR6内存标准中期待什么–我们已经掌握了哪些可靠的信息？我们将告诉您并为您提供关于PC、服务器和笔记本电脑中的下一代RAM的可靠背景知识。

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DDR6应达到12,800 MT/S+

三星在2021年科技日上谈到了DDR6及其发展阶段DDR6+，并透露了关于即将推出的内存标准的许多有趣的细节。

如果以JEDEC官方批准的速度为基准，DDR5的最大数据速率比DDR4翻了一番，从3400MT/S增加到6400MT/S。三星预计DDR6也会有类似的增长，它的运行速度将高达12,800MT/S，与DDR6-12800一样。

应该注意的是，这些只是JEDEC指定的官方标准速度，超频(OC)模块可能远远超过这些速度。

因此，带有严格选择的内存模块(“IC”)的内存条应该能够实现DDR6-16800，最多可使用16,800 MT/S作为OC模块。

在纯存储器速度方面，DDR存储器标准的发展将如下：

由于从DDR5更改为DDR6所关联的内存速度显著提高，内存带宽也显著增加。

DDR6有四个内存通道

使用DDR6时，每个模块的内存通道数设置为四个，与DDR5相比再次翻了一番。内存条的数量也增加了两倍，达到64个，这意味着与DDR4相比增加了四倍。

在内存带宽的跨代比较中，DDR6将再次显著增加：

DDR最高3.2 GB/S

DDR2最高8.5 GB/S

DDR3最高17.0 GB/S

DDR4最高28.8 GB/S

DDR5最高可达67.2 GB/S

DDR6最高134.4 GB/S+

因此，在目前的情况下，可以假设最快的DDR6内存模块将能够提供至少134.4 GB/S的内存带宽，而OC模块提供显著更高的每秒内存吞吐量。

功能更多，电压更低

随着从DDR4切换到DDR5，新一代内存的功能集将再次大幅扩展。三星、美光、南亚、SK海力士等所有相关DRAM芯片制造商都已经透露了这一点。

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除了进一步改进的PMIC(电源管理IC)，用于监控存储模块的能量管理，以及进一步降低的电源电压(VDIMM)，用于奇偶校验和纠错的ECC功能也将进一步扩展。

DDR6将于2024/25年度推出

三星已经宣布，它目前正在与DRAM和SoC制造商圈中的其他JEDEC成员一起敲定DDR6内存标准。根据制造商的说法，这预计在2024年，但不晚于2025年。

新的DDR6内存将庆祝其在专业企业领域的首次亮相，预计将首次与2025年老款的服务器CPU一起使用。

另一方面，韩国半导体制造商SK Hynix的首席工程师预计开发阶段会更长一些，并预计在2025年底之前不会推出广泛的市场。

这篇文章是从德语翻译成英语的，最初发表在pcWelt.de上。

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编译：盼盼云笔记